onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 2.2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- RS-artikelnummer:
- 796-1381
- Tillv. art.nr:
- NTR5198NLT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
55,325 kr
(exkl. moms)
69,15 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 000 enhet(er) levereras från den 20 maj 2026
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 22 juli 2026
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 20 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 2,213 kr | 55,33 kr |
| 100 - 225 | 1,908 kr | 47,70 kr |
| 250 - 475 | 1,658 kr | 41,45 kr |
| 500 - 975 | 1,456 kr | 36,40 kr |
| 1000 + | 1,322 kr | 33,05 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 796-1381
- Tillv. art.nr:
- NTR5198NLT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 155mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 900mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.1nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.01mm | |
| Längd | 3.04mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 155mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 900mW | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.1nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.01mm | ||
Längd 3.04mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig effekt-MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal 2.2 A 60 V Förbättring SOT-23
- onsemi Typ N Kanal 2.2 A 30 V Förbättring SOT-23, FDN337N
- onsemi Typ N Kanal 2.2 A 60 V Förbättring SOT-23, NVR5198NL AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal 2.4 A 30 V Förbättring SOT-23
- onsemi Typ N Kanal 500 mA 60 V Förbättring SOT-23, MMBF170L
- onsemi Typ N Kanal 280 mA 60 V Förbättring SOT-23, NDS7002A
- onsemi Typ N Kanal 300 mA 60 V Förbättring SOT-23, 2N7002KW
- onsemi Typ N Kanal 1.9 A 30 V Förbättring SOT-23, FDN357N
