onsemi N Kanal, MOSFET, 2.2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- RS-artikelnummer:
- 796-1381
- Tillv. art.nr:
- NTR5198NLT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
59,15 kr
(exkl. moms)
73,95 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 675 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 08 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 2,366 kr | 59,15 kr |
| 100 - 225 | 2,038 kr | 50,95 kr |
| 250 - 475 | 1,77 kr | 44,25 kr |
| 500 - 975 | 1,554 kr | 38,85 kr |
| 1000 + | 1,416 kr | 35,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 796-1381
- Tillv. art.nr:
- NTR5198NLT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 155mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.1nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 900mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.01mm | |
| Längd | 3.04mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 155mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.1nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 900mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.01mm | ||
Längd 3.04mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Effekt-MOSFET med N-kanal, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.2 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, FDN337N
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NVR5198NL AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi N Kanal, MOSFET, 280 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NDS7002A
- onsemi N Kanal, MOSFET, 1.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, FDN357N
- onsemi N Kanal, MOSFET, 500 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, MMBF170L
- onsemi N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002KW