DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 154-958
- Tillv. art.nr:
- ZXM61N02FTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
144,48 kr
(exkl. moms)
180,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 200 enhet(er) levereras från den 12 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 125 | 5,779 kr | 144,48 kr |
| 150 - 725 | 3,324 kr | 83,10 kr |
| 750 - 1475 | 3,069 kr | 76,73 kr |
| 1500 + | 3,006 kr | 75,15 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 154-958
- Tillv. art.nr:
- ZXM61N02FTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 180mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.4nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -12V, +12V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 950mV | |
| Maximal effektförlust Pd | 806mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.05mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 180mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.4nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -12V, +12V | ||
Framåtriktad spänning Vf 950mV | ||
Maximal effektförlust Pd 806mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1mm | ||
Bredd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.05mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
N-kanal MOSFET, 12 V till 28 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.9 A 100 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 2.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 4.6 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 1.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SQ AEC-Q101
- DiodesZetex P-kanal Kanal, MOSFET, -3.8 A -30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP3098LQ AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 1.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101