onsemi N Kanal, MOSFET, 2.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

3 501,00 kr

(exkl. moms)

4 377,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 3 000 enhet(er) levereras från den 30 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +1,167 kr3 501,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
184-1067
Tillv. art.nr:
NTR4170NT1G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

110mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4.76nC

Maximal effektförlust Pd

480mW

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.01mm

Längd

3.04mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.4mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
Detta är en 30 V N-kanals effekt-MOSFET.

Låg rDS(on) för att minimera ledningsförluster

Låg grindladdning

Låga tröskelvärden

Användningsområden:

Strömomvandlare för bärbara datorer

Batterihantering

Last-/strömbrytare

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.