Infineon N Kanal, MOSFET, 5.8 A 25 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

RS-artikelnummer:: 737-7219
Distrelec artikelnummer:: 304-45-306
Tillv. art.nr:: IRFML8244TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 5.8 A 25 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

43,64 kr

(exkl. moms)

54,56 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

42 100 enhet(er) levereras från den 14 oktober 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
20 +	2,182 kr	43,64 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 737-7219
Distrelec artikelnummer:: 304-45-306
Tillv. art.nr:: IRFML8244TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	5.8A
	Maximal källspänning för dränering Vds	25V
	Kapseltyp	SOT-23
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	41mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	5.4nC
	Maximal effektförlust Pd	1.25W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	1.4mm
	Höjd	1.02mm
	Längd	3.04mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.8A
	Maximal källspänning för dränering Vds 25V
	Kapseltyp SOT-23
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 41mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.4nC
	Maximal effektförlust Pd 1.25W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 1.4mm
	Höjd 1.02mm
	Längd 3.04mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 25 V maximal drain-källspänning, 5,8 A maximal kontinuerlig drain-ström - IRFML8244TRPBF

Denna MOSFET är en kompakt N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för ytmonterad effektomkoppling och signalnivåstyrning i kompakta elektroniska enheter. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande miljöer och är avsedd för användning där låga ledningsförluster och blygsam effekthantering krävs. Kapseln stöder trepolig SOT-23-montering för kortlayouter med begränsat utrymme.

Funktioner och fördelar:

• Låg påslagningsresistans på 41 mΩ minskar ledningsförluster
• Kontinuerlig dräneringsström på 5.8 A stöder högre belastningsströmmar
• Drain-source-spänning 25 V möjliggör växling vid medelspänning
• Typisk grindladdning på 5.4 nC möjliggör snabba grindövergångar
• Forward-spänning 1.2 V minimerar spänningsfall under belastning
• Maximal effektförlust på 1.25 W hanterar termisk budget

Användningsområden

• Lämplig för kompakta nedtransformerande DC/DC-omvandlare
• Idealisk för bärbara strömhanteringsmoduler
• Används med motordrivare för styrning av små ställdon
• Kan användas för batteriskydd och laddningskretsar
• Lämplig för kort med hög densitet för konsumentelektronik

Vilka är de termiska gränserna för drift?

Enheten är klassad för drift mellan -55 °C och 150 °C, vilket möjliggör drift vid lågtemperaturstarter och förhöjda omgivningsförhållanden.

Vilka extrema gate-spänningar bör undvikas?

Gate-source-spänningen får inte överstiga 20 V för att förhindra påfrestning eller skador på enheten.

Hur många stift och vilken monteringsstil använder den?

Den levereras som en trepolig komponent avsedd för ytmontering i SOT-23-format.

Vilka fördelar med ledning och omkoppling medför den?

Kombinationen av 41 mΩ påslagningsresistans och 5,4 nC grindladdning balanserar låga ledningsförluster med måttliga krav på grinddrivning för effektiv omkoppling.