Infineon N Kanal, MOSFET, 5.8 A 25 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*

2 178,00 kr

(exkl. moms)

2 724,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 42 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30000,726 kr2 178,00 kr
6000 - 60000,689 kr2 067,00 kr
9000 +0,661 kr1 983,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-7765
Tillv. art.nr:
IRFML8244TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5.8A

Maximal källspänning för dränering Vds

25V

Kapseltyp

SOT-23

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

41mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5.4nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

1.25W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

1.4mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

3.04mm

Höjd

1.02mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
PH

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 25 V maximal drain-källspänning, 5,8 A maximal kontinuerlig drain-ström - IRFML8244TRPBF


Denna MOSFET är en kompakt N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för ytmonterad effektomkoppling och signalnivåstyrning i kompakta elektroniska enheter. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande miljöer och är avsedd för användning där låga ledningsförluster och blygsam effekthantering krävs. Kapseln stöder trepolig SOT-23-montering för kortlayouter med begränsat utrymme.

Funktioner och fördelar:


• Låg påslagningsresistans på 41 mΩ minskar ledningsförluster
• Kontinuerlig dräneringsström på 5.8 A stöder högre belastningsströmmar
• Drain-source-spänning 25 V möjliggör växling vid medelspänning
• Typisk grindladdning på 5.4 nC möjliggör snabba grindövergångar
• Forward-spänning 1.2 V minimerar spänningsfall under belastning
• Maximal effektförlust på 1.25 W hanterar termisk budget

Användningsområden


• Lämplig för kompakta nedtransformerande DC/DC-omvandlare
• Idealisk för bärbara strömhanteringsmoduler
• Används med motordrivare för styrning av små ställdon
• Kan användas för batteriskydd och laddningskretsar
• Lämplig för kort med hög densitet för konsumentelektronik

Vilka är de termiska gränserna för drift?


Enheten är klassad för drift mellan -55 °C och 150 °C, vilket möjliggör drift vid lågtemperaturstarter och förhöjda omgivningsförhållanden.

Vilka extrema gate-spänningar bör undvikas?


Gate-source-spänningen får inte överstiga 20 V för att förhindra påfrestning eller skador på enheten.

Hur många stift och vilken monteringsstil använder den?


Den levereras som en trepolig komponent avsedd för ytmontering i SOT-23-format.

Vilka fördelar med ledning och omkoppling medför den?


Kombinationen av 41 mΩ påslagningsresistans och 5,4 nC grindladdning balanserar låga ledningsförluster med måttliga krav på grinddrivning för effektiv omkoppling.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.