Infineon N Kanal, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 913-4073
- Tillv. art.nr:
- IRLML6344TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
5 295,00 kr
(exkl. moms)
6 618,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 6 000 enhet(er) levereras från den 04 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 1,765 kr | 5 295,00 kr |
| 6000 - 6000 | 1,677 kr | 5 031,00 kr |
| 9000 + | 1,571 kr | 4 713,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 913-4073
- Tillv. art.nr:
- IRLML6344TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 37mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.3W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -12V, +12V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Höjd | 1.02mm | |
| Längd | 3.04mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 37mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.3W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -12V, +12V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.4mm | ||
Höjd 1.02mm | ||
Längd 3.04mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 5 A maximal kontinuerlig drain-ström, 30 V maximal drain-källspänning - IRLML6344TRPBF
Denna MOSFET är en högpresterande N-kanal för ytmontering som är lämplig för olika tillämpningar inom elektronik- och automationssektorerna. Utformad med ett kompakt SOT-23-paket, mäter den 3,04 mm i längd, 1,4 mm i bredd och 1,02 mm i höjd. Den uppvisar utmärkta termiska prestanda, med ett drifttemperaturområde på -55 °C till +150 °C.
Funktioner & fördelar
• Erbjuder en kontinuerlig dräneringsström på 5 A för robust prestanda
• Maximal drain-källspänning på 30 V stöder olika krav
• Låg RDS(on) på 29 mΩ vid VGS = 4,5 V minskar effektförluster
• Brett gränsspänningsområde möjliggör flexibel drift
• Effektiv effektförlustkapacitet på 1,3 W ökar tillförlitligheten
Användningsområden
• Idealisk för omkoppling av mikrokontrollerbelastning i elektroniska system
• Används i energihanteringslösningar för fordonsindustrin
• Effektiv i DC-DC-omvandlare för effektiv energiomvandling
• Lämpligt för batterihanteringssystem för att förbättra prestandan
• Effektiv i motorstyrningskretsar för automationsuppgifter
Vad är betydelsen av det låga RDS(on)-värdet?
Det låga RDS(on)-värdet indikerar lägre ledningsförluster, vilket resulterar i bättre effektivitet, särskilt i tillämpningar med hög ström. Denna egenskap är avgörande för att minska värmegenereringen i kraftelektronik.
Vilket spänningsområde kan appliceras på grind-källa-korsningen?
Den maximala gate-källspänningen är ±12 V, vilket möjliggör flexibilitet i drivförhållanden samtidigt som enhetens integritet säkerställs inom nominella gränser.
Hur fungerar enheten vid höga temperaturer?
Med en maximal drifttemperatur på +150 °C är MOSFETen byggd för att tåla tuffa miljöer, vilket säkerställer tillförlitlig funktionalitet i krävande tillämpningar.
Vilka fördelar ger ytmonteringsdesignen?
SOT-23 ytmonterad design möjliggör kompakta kretslayouter och förbättrar värmehanteringen, vilket gör den idealisk för moderna elektroniska monteringar.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2.7 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5.8 A 25 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4.1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 3.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 3.6 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.6 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET