Infineon N Kanal, MOSFET, 3.6 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

RS-artikelnummer:: 913-4051
Tillv. art.nr:: IRLML0040TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 3.6 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*

3 843,00 kr

(exkl. moms)

4 803,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

3 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	1,281 kr	3 843,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 913-4051
Tillv. art.nr:: IRLML0040TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	3.6A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Serie	HEXFET
	Kapseltyp	SOT-23
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	56mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	1.3W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-16V, +16V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	2.6nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	1.4mm
	Höjd	1.02mm
	Längd	3.04mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.6A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Serie HEXFET
	Kapseltyp SOT-23
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 56mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 1.3W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -16V, +16V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.6nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 1.4mm
	Höjd 1.02mm
	Längd 3.04mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: PH

MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 3,6A maximal kontinuerlig dräneringsström, 1,3W maximal effektförlust - IRLML0040TRPBF

Denna effekt-MOSFET är konstruerad för effektivitet och tillförlitlighet i en rad olika elektroniska kretsar. Med låg on-resistans och hög prestanda är den lämplig för applikationer som kräver energieffektivitet och robust drift. Denna komponent är känd för sin förmåga att hantera betydande elektriska belastningar, vilket gör den relevant för ingenjörer och yrkesverksamma inom automations- och elektroniksektorerna.

Funktioner & fördelar

• Låg RDS(on) på 56mΩ minskar kopplingsförlusterna

• Stödjer Enhancement Mode för effektiv strömstyrning

• Maximal kontinuerlig dräneringsström på 3,6A för stabil drift

• Fungerar vid en maximal drain-source-spänning på 40V

• Utformad för ytmonteringsteknik, perfekt för kompakta konstruktioner

• Kompatibel med HEXFET-teknik för hög prestanda

Användningsområden

• Idealisk för last- och systemomkopplare

• Används i drivsystem för DC-motorer

• Effektiv för höghastighetsomkopplare och förstärkare

• Lämplig för ytmontering i kompakt krets

• Används i olika kraftelektroniska kretsar

Vad är värmemotståndet för denna enhet?

Det termiska motståndet är typiskt 100°C/W, vilket säkerställer effektiv värmeavledning under drift.

Hur påverkar grindtröskelspänningen enhetens prestanda?

Grindtröskelspänningen sträcker sig från 1,0 V till 2,5 V, vilket ger flexibilitet i grindstyrningen i olika applikationer.

Kan den hantera pulsade dräneringsströmmar?

Ja, den här komponenten kan klara pulserande dräneringsströmmar som överstiger dess kontinuerliga klassning, vilket garanterar tillförlitlighet under transienta förhållanden.

Vilka faktorer påverkar den maximala effektförlusten för denna komponent?

Effektförlusten påverkas främst av omgivningstemperaturen och det termiska motståndet, som påverkar anslutningstemperaturen under belastning.

N-kanals Power MOSFET 40V, Infineon

Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanaliga enheter i ytmonterade och blyade paket och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.