Infineon N Kanal, MOSFET, 5.3 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 913-4042
- Tillv. art.nr:
- IRLML0030TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 6000 till för att spara 210,00 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
4 086,00 kr
(exkl. moms)
5 106,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 9 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 1,362 kr | 4 086,00 kr | - |
| 6000 - 6000 | 1,327 kr | 3 981,00 kr | 210,00 kr |
| 9000 + | 1,294 kr | 3 882,00 kr | 612,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 913-4042
- Tillv. art.nr:
- IRLML0030TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 27mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.3W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.04mm | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.02mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 27mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.6nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.3W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.04mm | ||
Bredd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.02mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 5,3A maximal kontinuerlig dräneringsström, 1,3W maximal effektförlust - IRLML0030TRPBF
Denna MOSFET är konstruerad för att ge effektiv switchning för elektroniska kretsar i olika industriella applikationer. Dess FET-konfiguration i förstärkningsläge ger optimal prestanda vid last- eller systemväxling. Som en nyckelkomponent inom automations- och elektroniksektorerna erbjuder den mångsidighet och hög tillförlitlighet, vilket gör den till ett grundläggande val för ingenjörer.
Funktioner & fördelar
• 5,3A kontinuerlig dräneringsström förlänger driftskapaciteten
• 30V maximal drain-source-spänning stöder krävande applikationer
• Låg Rds(on) på 27 mΩ minimerar energiförlusterna under drift
• Kompatibel med ytmonteringsteknik för enkel integrering
• Hög temperaturklassning på +150 °C ger bibehållen prestanda i krävande miljöer
• RoHS-kompatibel, främjar miljövänlig design och tillverkning
Användningsområden
• Används i gränssnitt för mikrokontroller för lasthantering
• Lämplig för fordonselektronik för styrning av omkopplare
• Används i strömförsörjningskretsar för effektiv strömhantering
• Idealisk för konsumentelektronik som kräver kompakta strömförsörjningslösningar
• Används i automationssystem för konsekventa kontrolloperationer
Hur påverkar grindtröskelspänningen kopplingsbeteendet?
Gate-tröskelspänningen anger den lägsta gate-to-source-spänning som krävs för att aktivera enheten, vilket påverkar dess kopplingshastighet och driftseffektivitet.
Vilka överväganden bör göras under installationen när det gäller värmehantering?
Korrekt värmeavledning måste säkerställas eftersom den maximala driftstemperaturen är +150 °C, vilket är avgörande för att upprätthålla prestanda och säkerhet.
Kan den integreras med befintliga kretsar som är konstruerade för andra tekniker?
Ja, den har en stiftutformning enligt industristandard, vilket garanterar kompatibilitet med olika befintliga ytmonteringstekniker.
Vilka är konsekvenserna av den maximala gate-source-spänningen?
Märkspänningen på ±20 V måste följas för att undvika skador på grinden och säkerställa stabil drift inom angivna gränser.
N-kanals effekt-MOSFET 30V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanals enheter i ytmonterade och blyade kapslingar. Och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5.3 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 3.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4.1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 3.6 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5.8 A 25 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2.7 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET