Infineon N Kanal, MOSFET, 1.6 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 725-9350
- Distrelec artikelnummer:
- 304-45-311
- Tillv. art.nr:
- IRLML0100TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
34,05 kr
(exkl. moms)
42,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 5 450 enhet(er) levereras från den 19 november 2026
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 23 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 3,405 kr | 34,05 kr |
| 100 - 240 | 3,237 kr | 32,37 kr |
| 250 - 490 | 3,17 kr | 31,70 kr |
| 500 - 990 | 1,96 kr | 19,60 kr |
| 1000 + | 1,736 kr | 17,36 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 725-9350
- Distrelec artikelnummer:
- 304-45-311
- Tillv. art.nr:
- IRLML0100TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 235mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.3W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -16, +16V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.04mm | |
| Höjd | 1.02mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 235mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 1.3W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -16, +16V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.04mm | ||
Höjd 1.02mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals effekt-MOSFET 100V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanals enheter i ytmonterade och blyade kapslingar. Och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.6 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET