STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FDmesh

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

59,02 kr

(exkl. moms)

73,78 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 196 enhet(er) levereras från den 09 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 959,02 kr
10 - 9949,95 kr
100 - 49940,21 kr
500 - 99935,73 kr
1000 +30,13 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
486-2228
Tillv. art.nr:
STP20NM60FD
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-220

Serie

FDmesh

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

290mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-65°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Maximal effektförlust Pd

192W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

37nC

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.4mm

Bredd

4.6 mm

Höjd

9.15mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanal FDmeshTM effekt-MOSFET, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics