STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FDmesh
- RS-artikelnummer:
- 486-2228
- Tillv. art.nr:
- STP20NM60FD
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
75,82 kr
(exkl. moms)
94,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 36 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 112 enhet(er) från den 12 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 75,82 kr |
| 10 - 99 | 64,29 kr |
| 100 - 499 | 51,63 kr |
| 500 - 999 | 45,81 kr |
| 1000 + | 38,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 486-2228
- Tillv. art.nr:
- STP20NM60FD
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | FDmesh | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 290mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 37nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 192W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 9.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie FDmesh | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 290mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 37nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal effektförlust Pd 192W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 9.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal FDmeshTM effekt-MOSFET, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, FDmesh II effekt-MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, FDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, FDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, FDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, FDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STO67N60DM6