STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 15 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- RS-artikelnummer:
- 192-4661
- Tillv. art.nr:
- STP26N60DM6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Få en mängdrabatt
Lägg till 250 till för att spara 512,00 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
1 626,25 kr
(exkl. moms)
2 032,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 50 - 200 | 32,525 kr | 1 626,25 kr | - |
| 250 + | 30,477 kr | 1 523,85 kr | 512,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 192-4661
- Tillv. art.nr:
- STP26N60DM6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 15A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 195mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.6mm | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 15.75mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 15A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 195mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.6mm | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 15.75mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Denna högspännings N-kanal Power MOSFET är en del av MDmeshTM DM6-diodserien med snabb återhämtning. Jämfört med den tidigare MDmesh-snabba generationen kombinerar DM6 mycket låg återhämtningsladdning (Qrr), återhämtningstid (trr) och utmärkt förbättring av RDS(on) per område med effektivt omkopplingsbeteende för de mest krävande högeffektiva bryggtopologierna och ZVS-fasskiftomvandlare.
Husdiod med snabb återhämtning
Lägre RDS(on) per område jämfört med föregående generation
Låg grindladdning, ingångskapacitet och motstånd
Extremt hög dv/dt robusthet
Zener-skyddad
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 15 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 33 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STO67N60DM6
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 6.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh