STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, FDmesh
- RS-artikelnummer:
- 165-6595
- Tillv. art.nr:
- STD13NM60ND
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 165-6595
- Tillv. art.nr:
- STD13NM60ND
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | FDmesh | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 380mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -25V, +25V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 109W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 24.5nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.2mm | |
| Längd | 6.6mm | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie FDmesh | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 380mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -25V, +25V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 109W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24.5nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.2mm | ||
Längd 6.6mm | ||
Höjd 2.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal FDmeshTM effekt-MOSFET, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, FDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, FDmesh II effekt-MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, FDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, FDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, FDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh II