STMicroelectronics Typ N Kanal, FDmesh II effekt-MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, FDmesh
- RS-artikelnummer:
- 761-2745
- Tillv. art.nr:
- STF11NM60ND
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
52,42 kr
(exkl. moms)
65,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- 16 kvar, redo att levereras
- Sista 145 enhet(er) levereras från den 25 augusti 2026
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 52,42 kr |
| 10 - 99 | 26,00 kr |
| 100 - 499 | 23,64 kr |
| 500 + | 21,49 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 761-2745
- Tillv. art.nr:
- STF11NM60ND
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | FDmesh II effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-220FP | |
| Serie | FDmesh | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.45Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 90W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 16.4mm | |
| Längd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp FDmesh II effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-220FP | ||
Serie FDmesh | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.45Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 90W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 16.4mm | ||
Längd 10.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal FDmeshTM effekt-MOSFET, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, FDmesh II effekt-MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, FDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 5.2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 8 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh M2
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 13 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh M2
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 11 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, FDmesh