STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, FDmesh
- RS-artikelnummer:
- 103-1996
- Tillv. art.nr:
- STW20NM60FD
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
787,05 kr
(exkl. moms)
983,82 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 540 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 26,235 kr | 787,05 kr |
| 60 + | 24,924 kr | 747,72 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 103-1996
- Tillv. art.nr:
- STW20NM60FD
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | FDmesh | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 290mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 214W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Längd | 15.75mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie FDmesh | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 290mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximal effektförlust Pd 214W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 20.15mm | ||
Längd 15.75mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal FDmeshTM effekt-MOSFET, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, FDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, FDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, FDmesh II effekt-MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, FDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, FDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 72 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 39 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh