STMicroelectronics N Kanal, 25 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PowerFLAT (5 x 6) HV

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
275-1318
Tillv. art.nr:
SGT65R65AL
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id)

25 A

Maximal källspänning för dränering (Vds)

750 V

Kanalläge

Förbättring

Antal ben

4

Kapseltyp

PowerFLAT (5 x 6) HV

Typ av fäste

Yta

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics e-mode powerGaN transistor combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.

Very high switching speed

High power management capability

Extremely low capacitances

Kelvin source pad for optimum gate driving

Zero reverse recovery charge

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.