STMicroelectronics 1 Typ N Kanal Enkel, 7 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT (5 x 6) HV
- RS-artikelnummer:
- 192-4657
- Tillv. art.nr:
- STL13N60M6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 192-4657
- Tillv. art.nr:
- STL13N60M6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT (5 x 6) HV | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 415mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.95mm | |
| Längd | 6mm | |
| Bredd | 5mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp PowerFLAT (5 x 6) HV | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 415mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.95mm | ||
Längd 6mm | ||
Bredd 5mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Den nya MDmesh M6-tekniken innehåller de senaste framstegen i den välkända och konsoliderade MDmesh-familjen av SJ MOSFET. STMicroelectronics bygger vidare på den tidigare generationen av MDmesh-enheter genom sin nya M6-teknik, som kombinerar utmärkt RDS(on) per områdeförbättring med ett av de mest effektiva växlingsbeteenden som finns, samt en användarvänlig upplevelse för maximal effektivitet i slutanvändningen.
Minskade omkopplingsförluster
Lägre RDS(on) per område jämfört med föregående generation
Låg grindingångsresistans
Zener-skyddad
Relaterade länkar
- STMicroelectronics 1 Typ N Kanal Enkel, 7 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT (5 x 6) HV
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.2 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV, MDmesh II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V, 5 Ben, PowerFlat HV, M6
- STMicroelectronics Typ N Kanal, 25 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PowerFLAT (5 x 6) HV
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.5 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 39 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT, ST8L60