STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.2 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV, MDmesh II

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

33 303,00 kr

(exkl. moms)

41 628,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +11,101 kr33 303,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
151-422
Tillv. art.nr:
STL3NM60N
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV

Serie

MDmesh II

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.5Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

22W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

9.5nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25 V

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY
STMicroelectronics Power MOSFET har utvecklats med andra generationens MDmesh-teknik. Denna revolutionerande Power MOSFET associerar en vertikal struktur med företagets remslayout för att ge ett av världens lägsta motstånd. Den är därför lämplig för de mest krävande omvandlarna med hög effektivitet.

100 % avalanche-testade

Låg ingångskapacitans och grindladdning

Relaterade länkar