STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 125 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT
- RS-artikelnummer:
- 261-5532
- Tillv. art.nr:
- STL120N10F8
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
55,89 kr
(exkl. moms)
69,862 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 26 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 + | 27,945 kr | 55,89 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 261-5532
- Tillv. art.nr:
- STL120N10F8
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 125A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 56nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 125A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 56nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanalförstärkningsläge standardnivå 100 V, 4,6 mOhm max, 125 A STripFET F8 Power MOSFET i ett PowerFLAT 5x6-paket
Denna N-kanaliga effekt-MOSFET från STMicroelectronics använder STripFET F8-teknik med en förbättrad trenchgrindstruktur. Den säkerställer mycket låg påslagningsresistans samtidigt som den minskar interna kapacitans och grindladdning för snabbare och mer effektiv omkoppling.
Nyckelfunktioner
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 125 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 125 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL125N10F8AG AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL160
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 167 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.5 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PowerFLAT, SCTL35N65G2V