STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.5 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT
- RS-artikelnummer:
- 192-4825
- Tillv. art.nr:
- STL10N60M6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
127,68 kr
(exkl. moms)
159,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 31 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 25,536 kr | 127,68 kr |
| 50 - 245 | 20,788 kr | 103,94 kr |
| 250 - 495 | 15,836 kr | 79,18 kr |
| 500 + | 14,068 kr | 70,34 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 192-4825
- Tillv. art.nr:
- STL10N60M6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 660mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Maximal effektförlust Pd | 48W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.95mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6mm | |
| Bredd | 5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 660mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.8nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Maximal effektförlust Pd 48W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.95mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6mm | ||
Bredd 5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Den nya MDmeshTM M6-tekniken innehåller de senaste framstegen i den välkända och konsoliderade MDmesh-familjen av SJ MOSFET. STMicroelectronics bygger vidare på den tidigare generationen av MDmesh-enheter genom sin nya M6-teknik, som kombinerar utmärkt RDS(on) per områdeförbättring med ett av de mest effektiva växlingsbeteenden som finns, samt en användarvänlig upplevelse för maximal effektivitet i slutanvändningen.
Minskade omkopplingsförluster
Lägre RDS(on) per område jämfört med föregående generation
Låg grindingångsresistans
Zener-skyddad
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.5 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 39 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT, ST8L60
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.2 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV, MDmesh II
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 144 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, Stl
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 268 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL