STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 125 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL125N10F8AG AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 214-996
- Tillv. art.nr:
- STL125N10F8AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
31,70 kr
(exkl. moms)
39,62 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 20 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 31,70 kr |
| 10 - 99 | 28,45 kr |
| 100 - 499 | 26,43 kr |
| 500 - 999 | 24,42 kr |
| 1000 + | 21,95 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-996
- Tillv. art.nr:
- STL125N10F8AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 125A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Serie | STL125N10F8AG | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 56nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 125A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Serie STL125N10F8AG | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 56nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics 100 V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET är konstruerad i STripFET F8-teknik och har en förbättrad grindgrindstruktur. Det säkerställer en toppmodern siffra av meriter för mycket lågt motstånd i påläge samtidigt som den minskar den interna kapaciteten och grindladdningen för snabbare och effektivare omkoppling.
Låg grindladdning Qg
Vätbart flankhölje
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 125 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL125N10F8AG AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 125 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 420 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL059N AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 95 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F3 AEC-Q101
- STMicroelectronics 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 144 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, Stl