Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 61 A N, HDSOP, IPD
- RS-artikelnummer:
- 258-3873
- Tillv. art.nr:
- IPDD60R045CFD7XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
52,42 kr
(exkl. moms)
65,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 688 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 52,42 kr |
| 5 - 9 | 49,84 kr |
| 10 - 24 | 47,71 kr |
| 25 - 49 | 45,58 kr |
| 50 + | 42,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3873
- Tillv. art.nr:
- IPDD60R045CFD7XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 61A | |
| Kapseltyp | HDSOP | |
| Serie | IPD | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 210mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 61A | ||
Kapseltyp HDSOP | ||
Serie IPD | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 210mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons högspännings-superkopplings-MOSFET-teknik med integrerad snabb kroppsdiod, vilket kompletterar CoolMOS 7-serien. CoolMOS CFD7 levereras med minskad grindladdning, förbättrat avstängningsbeteende och en omvänd återställningsladd på upp till 69 % lägre jämfört med konkurrenterna, samt den lägsta omvända återställningstiden på marknaden.
Ultrasnabb kroppsdiod
Klassens bästa omvända återställningsladdning
Förbättrad omvänd diod dv/dt och dif/dt robusthet
Klassens bästa robusthet vid hård kommutation
Högsta tillförlitlighet för resonanstopologier
Högsta effektivitet med enastående kompromiss mellan användarvänlighet och prestanda
Möjliggör lösningar för ökad effekttäthet
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 61 A N, HDSOP, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 126 A 600 V N, HDSOP, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 375 A 600 V N, HDSOP, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 207 A 600 V N, HDSOP, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V N, 10 Ben, HDSOP, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 288 A 600 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 113.3 A 600 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 600 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPD
