Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 207 A 600 V N, HDSOP, IPD

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 750 enheter)*

37 029,75 kr

(exkl. moms)

46 287,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 750 enhet(er) från den 01 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
750 +49,373 kr37 029,75 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
260-1201
Tillv. art.nr:
IPDQ60R040S7XTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

207A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

IPD

Kapseltyp

HDSOP

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

40mΩ

Kanalläge

N

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

83nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Framåtriktad spänning Vf

0.82V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

272W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

15.1mm

Bredd

15.5mm

Höjd

2.35mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons MOSFET ger bästa prisprestanda för lågfrekvensomkopplingstillämpningar. CoolMOS S7 har de lägsta Rdson-värdena för en HV SJ MOSFET, med distinkt ökad energieffektivitet. CoolMOS S7 är optimerad för ”statisk omkoppling” och tillämpningar med hög ström. Det är idealiskt för halvledarreläer och säkringskonstruktioner samt för linjelikriktering i SMPS- och växelriktartopologier.

Hög pulsströmsförmåga

Ökad systemprestanda

Mer kompakt och enklare design

Lägre BOM och/eller TCO under förlängd livslängd

Stötsäkerhet och vibrationsbeständighet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.