Infineon N Kanal, MOSFET, 288 A 600 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPD
- RS-artikelnummer:
- 348-993
- Tillv. art.nr:
- IPDQ60R007CM8XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
286,50 kr
(exkl. moms)
358,12 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 24 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 286,50 kr |
| 10 - 99 | 257,94 kr |
| 100 + | 237,89 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 348-993
- Tillv. art.nr:
- IPDQ60R007CM8XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 288A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | PG-HDSOP-22 | |
| Serie | IPD | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 22 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1249W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 288A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp PG-HDSOP-22 | ||
Serie IPD | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 22 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 1249W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IPD-serien MOSFET, 600 V drain source-spänning, 288 A kontinuerlig drain-ström – IPDQ60R007CM8XTMA1
Denna MOSFET är en strömomkopplande transistor som är utformad för högspännings- och högströmstillämpningar i ytmonterad elektronik. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för användning där snabb omkoppling och betydande kontinuerlig strömhantering krävs i krävande elektriska system.
Funktioner och fördelar:
• Drain-spänning på 600 V möjliggör kompatibilitet med högspänningssystem
• Låg påslagningsresistans på 7 mΩ minskar ledningsförluster
• 288 A kontinuerlig ström stöder höga strömbelastningar
• 1249 W effektförlust möjliggör varaktig värmehantering
• 37 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare växlingsövergångar
• 30 V gate-tolerans skyddar mot gate-overdrive-utflykter
• Låg påslagningsresistans på 7 mΩ minskar ledningsförluster
• 288 A kontinuerlig ström stöder höga strömbelastningar
• 1249 W effektförlust möjliggör varaktig värmehantering
• 37 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare växlingsövergångar
• 30 V gate-tolerans skyddar mot gate-overdrive-utflykter
Användningsområden
• Används för nätaggregat i industriell utrustning
• Lämplig för motordrivningsstegen i dragsystem
• Idealisk för högströmsomvandlare i förnybara installationer
• Kan användas för DC/DC-omvandling i telekomrack
• Används med högtemperaturelektronik i fordonsdelsystem
• Lämplig för motordrivningsstegen i dragsystem
• Idealisk för högströmsomvandlare i förnybara installationer
• Kan användas för DC/DC-omvandling i telekomrack
• Används med högtemperaturelektronik i fordonsdelsystem
Vilken typ av kapsling bör designers förvänta sig för kretskortslayout?
Den levereras i ett 22-stifts PG-HDSOP-22-paket för ytmontering som är lämpligt för kompakta kortlayouter och värmeplattaarrangemang.
Hur fungerar enheten i förhöjda omgivningsförhållanden?
Komponenten är specifik för drift upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med hög temperatur och lämplig värmehantering.
Vilka grinddrivkretsöverväganden krävs för omkoppling?
Grinden måste drivas inom ±30 V-gränser och den typiska grindladdningen på 37 nC bör beaktas vid dimensionering av drivaren för att uppnå önskad omkopplingshastighet.
Är enheten lämplig för lågtemperaturtillämpningar?
Delen är klassad ned till -55 °C, vilket möjliggör användning i system med kallt klimat med garanterad elektrisk prestanda.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 113.3 A 600 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 600 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 113 A 600 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 54 A 60 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 174 A 600 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPQC60
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 600 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, CoolMOSTM8thgeneration
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 174 A 600 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPDQ60