Infineon N Kanal, MOSFET, 126 A 600 V N, HDSOP, IPD

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 750 enheter)*

20 618,25 kr

(exkl. moms)

25 773,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 26 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
750 +27,491 kr20 618,25 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
260-1203
Tillv. art.nr:
IPDQ60R065S7XTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

126A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

HDSOP

Serie

IPD

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

65mΩ

Kanalläge

N

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Framåtriktad spänning Vf

0.82V

Maximal effektförlust Pd

195W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

51nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

15.1mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

2.35mm

Längd

15.5mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons MOSFET ger bästa prisprestanda för lågfrekvensomkopplingstillämpningar. CoolMOS S7 har de lägsta Rdson-värdena för en HV SJ MOSFET, med distinkt ökad energieffektivitet. CoolMOS S7 är optimerad för ”statisk omkoppling” och tillämpningar med hög ström. Det är idealiskt för halvledarreläer och säkringskonstruktioner samt för linjelikriktering i SMPS- och växelriktartopologier.

Hög pulsströmsförmåga

Ökad systemprestanda

Mer kompakt och enklare design

Lägre BOM och/eller TCO under förlängd livslängd

Stötsäkerhet och vibrationsbeständighet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.