Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 375 A 600 V N, HDSOP, IPD
- RS-artikelnummer:
- 260-1200
- Tillv. art.nr:
- IPDQ60R022S7XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
116,14 kr
(exkl. moms)
145,18 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 750 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 116,14 kr |
| 5 - 9 | 106,85 kr |
| 10 - 24 | 99,90 kr |
| 25 - 49 | 92,85 kr |
| 50 + | 85,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 260-1200
- Tillv. art.nr:
- IPDQ60R022S7XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 375A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | HDSOP | |
| Serie | IPD | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 22mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.82V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 416W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 375A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp HDSOP | ||
Serie IPD | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 22mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.82V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 416W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET ger bästa prisprestanda för lågfrekvensomkopplingstillämpningar. CoolMOS S7 har de lägsta Rdson-värdena för en HV SJ MOSFET, med distinkt ökad energieffektivitet. CoolMOS S7 är optimerad för ”statisk omkoppling” och tillämpningar med hög ström. Det är idealiskt för halvledarreläer och säkringskonstruktioner samt för linjelikriktering i SMPS- och växelriktartopologier.
Hög pulsströmsförmåga
Ökad systemprestanda
Mer kompakt och enklare design
Lägre BOM och/eller TCO under förlängd livslängd
Stötsäkerhet och vibrationsbeständighet
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 375 A 600 V N, HDSOP, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 126 A 600 V N, HDSOP, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 207 A 600 V N, HDSOP, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V N, 10 Ben, HDSOP, IPD
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 61 A N, HDSOP, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 288 A 600 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 113.3 A 600 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 600 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPD