Infineon N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 258-0698
- Tillv. art.nr:
- BSD316SNH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
2 298,00 kr
(exkl. moms)
2 874,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 12 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,766 kr | 2 298,00 kr |
| 6000 - 12000 | 0,746 kr | 2 238,00 kr |
| 15000 + | 0,728 kr | 2 184,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0698
- Tillv. art.nr:
- BSD316SNH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-363 | |
| Serie | BSD | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 160mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.5W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Bredd | 1.25mm | |
| Längd | 2mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOT-363 | ||
Serie BSD | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 160mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Maximal effektförlust Pd 0.5W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 0.9mm | ||
Bredd 1.25mm | ||
Längd 2mm | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons N-kanal småsignal-MOSFET för fordons- och industritillverkare har en bred portfölj av N- och P-kanal småsignal-MOSFET som uppfyller och överträffar de högsta kvalitetskraven i välkända industristandardpaket. Med oöverträffad tillförlitlighet och tillverkningskapacitet är dessa komponenter idealiska för en mängd olika tillämpningar, inklusive LED-belysning, ADAS, karossstyrenheter, SMPS och motorstyrning.
Förbättringsläge
Logiknivå
Avalanche-klassad
Snabbväxlande
Dv/dt-klassad
Låg RDS(on) ger högre effektivitet och förlänger batteritiden
Små förpackningar sparar kretskortsutrymme
Klassens bästa kvalitet och tillförlitlighet
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -0.39 A 40 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -1.5 A 40 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSV AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.5 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 0.95 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD235C AEC-Q101
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 880 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363 AEC-Q101
- Toshiba 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363 AEC-Q101