Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET

RS-artikelnummer:: 257-9323
Tillv. art.nr:: IRF7862TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

23 008,00 kr

(exkl. moms)

28 760,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 08 mars 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
4000 +	5,752 kr	23 008,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 257-9323
Tillv. art.nr:: IRF7862TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	21A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Serie	HEXFET
	Kapseltyp	SO-8
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	4.5mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	30nC
	Maximal effektförlust Pd	2.5W
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 21A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Serie HEXFET
	Kapseltyp SO-8
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 4.5mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC
	Maximal effektförlust Pd 2.5W
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IRF7862TRPBF

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 30 V maximal drain-source-spänning, 21 A maximal kontinuerlig drain-ström - IRF7862TRPBF

Denna N-kanals MOSFET med förstärkningsläge i SO-8-kapsel är en effekttransistor för ytmontering som är utformad för högströmsomkoppling i kompakta enheter. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och uppfyller RoHS, vilket gör den lämplig för tillämpningar som kräver kompakta, blyfria SMD-effektenheter.

Funktioner och fördelar:

• 4.5 mΩ Rds(on) ger låga ledningsförluster under belastning
• 30 V Vds möjliggör omkopplingskapacitet för medelspänning
• Kontinuerlig dräneringsström på 21 A stöder kretsar med hög ström
• 30 nC typisk grindladdning möjliggör måttlig omkopplingshastighetsstyrning
• 2,5 W effektförlust hanterar termisk belastning i trånga utrymmen

Användningsområden

• Lämplig för DC-strömfördelningsmoduler
• Idealisk för kretskortsdrivarsteg
• Används med spänningsregulatorer för lastomkoppling
• Kan användas för batteriskyddskretsar
• Lämplig för strömhantering i kompakta omvandlare

Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas?

Enheten får inte överstiga ±20 V mellan grind och källa för att förhindra dielektrisk grindbelastning.

Hur påverkar förpackningen termisk hantering?

SO-8-kapslingen för ytmontering begränsar värmeavledning, så kortkoppar och värmeledningar rekommenderas för att hjälpa till att avleda den tillåtna effekten på 2,5 W.

Vilket omgivningstemperaturområde tål den?

Den är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C, lämplig för breda temperaturområden.

Är denna enhet lämplig för fordonskvalificering?

Det är inte specificerat att uppfylla fordonsstandarder och bör inte antas vara av fordonskvalitet.