Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 30 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9324
- Tillv. art.nr:
- IRF7862TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
80,64 kr
(exkl. moms)
100,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 975 enhet(er) från den 10 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 16,128 kr | 80,64 kr |
| 50 - 120 | 12,88 kr | 64,40 kr |
| 125 - 245 | 11,916 kr | 59,58 kr |
| 250 - 495 | 11,132 kr | 55,66 kr |
| 500 + | 7,258 kr | 36,29 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9324
- Tillv. art.nr:
- IRF7862TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 21A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.5mΩ | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 21A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.5mΩ | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRF-serie är en 30 V HEXFET-kraftmosfet med en enda n-kanals HEXFET i en SO 8-förpackning.
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Optimerad för 5 V gate-drivspänning (kallas logisk nivå)
Ytmonterad förpackning enligt industristandard
Kan våglödas
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 30 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET-arrayer, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 30 V, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, -12 A -30 V, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 5 A, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET