Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9324
- Tillv. art.nr:
- IRF7862TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
110,32 kr
(exkl. moms)
137,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 975 enhet(er) från den 02 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 22,064 kr | 110,32 kr |
| 50 - 120 | 17,606 kr | 88,03 kr |
| 125 - 245 | 16,284 kr | 81,42 kr |
| 250 - 495 | 15,21 kr | 76,05 kr |
| 500 + | 9,924 kr | 49,62 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9324
- Tillv. art.nr:
- IRF7862TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 21A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 21A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 30 V maximal drain-source-spänning, 21 A maximal kontinuerlig drain-ström - IRF7862TRPBF
Denna N-kanals MOSFET med förstärkningsläge i SO-8-kapsel är en effekttransistor för ytmontering som är utformad för högströmsomkoppling i kompakta enheter. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och uppfyller RoHS, vilket gör den lämplig för tillämpningar som kräver kompakta, blyfria SMD-effektenheter.
Funktioner och fördelar:
• 4.5 mΩ Rds(on) ger låga ledningsförluster under belastning
• 30 V Vds möjliggör omkopplingskapacitet för medelspänning
• Kontinuerlig dräneringsström på 21 A stöder kretsar med hög ström
• 30 nC typisk grindladdning möjliggör måttlig omkopplingshastighetsstyrning
• 2,5 W effektförlust hanterar termisk belastning i trånga utrymmen
• 30 V Vds möjliggör omkopplingskapacitet för medelspänning
• Kontinuerlig dräneringsström på 21 A stöder kretsar med hög ström
• 30 nC typisk grindladdning möjliggör måttlig omkopplingshastighetsstyrning
• 2,5 W effektförlust hanterar termisk belastning i trånga utrymmen
Användningsområden
• Lämplig för DC-strömfördelningsmoduler
• Idealisk för kretskortsdrivarsteg
• Används med spänningsregulatorer för lastomkoppling
• Kan användas för batteriskyddskretsar
• Lämplig för strömhantering i kompakta omvandlare
• Idealisk för kretskortsdrivarsteg
• Används med spänningsregulatorer för lastomkoppling
• Kan användas för batteriskyddskretsar
• Lämplig för strömhantering i kompakta omvandlare
Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas?
Enheten får inte överstiga ±20 V mellan grind och källa för att förhindra dielektrisk grindbelastning.
Hur påverkar förpackningen termisk hantering?
SO-8-kapslingen för ytmontering begränsar värmeavledning, så kortkoppar och värmeledningar rekommenderas för att hjälpa till att avleda den tillåtna effekten på 2,5 W.
Vilket omgivningstemperaturområde tål den?
Den är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C, lämplig för breda temperaturområden.
Är denna enhet lämplig för fordonskvalificering?
Det är inte specificerat att uppfylla fordonsstandarder och bör inte antas vara av fordonskvalitet.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon 1 N Kanal Dubbel, MOSFET, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon 1 N Kanal Dubbel, MOSFET-arrayer, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Förbättring, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 14 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 10 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET