Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 80 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

30,64 kr

(exkl. moms)

38,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 3 260 enhet(er) från den 23 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +6,128 kr30,64 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
257-9322
Tillv. art.nr:
IRF7854TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Kapseltyp

SO-8

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

13.4mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

27nC

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Fordonsstandard

Nej

Infineons IRF-serie är en 80 V n-kanals stark IRFET-effektmosfet i en SO 8-kapsel. Den kraftfulla IRFET-familjen är optimerad för lågt RDS (on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet.

Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners

Produktkvalificering enligt JEDEC-standard

Ytmonterad förpackning enligt industristandard

Kisel optimerat för applikationer som växlar under 100 kHz

Relaterade länkar