Infineon N Kanal, MOSFET, 10 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9322
- Tillv. art.nr:
- IRF7854TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
39,76 kr
(exkl. moms)
49,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 700 enhet(er) från den 02 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 7,952 kr | 39,76 kr |
| 50 - 120 | 6,586 kr | 32,93 kr |
| 125 - 245 | 6,204 kr | 31,02 kr |
| 250 - 495 | 5,734 kr | 28,67 kr |
| 500 + | 5,556 kr | 27,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9322
- Tillv. art.nr:
- IRF7854TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 27nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 27nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 80 V drain-source-spänning, 10 A kontinuerlig drain-ström – IRF7854TRPBF
Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet som levereras i ett ytmonterat SO-8-paket för kompakt strömomkoppling. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är utformad för tillämpningar som kräver måttlig effektförlust och låga ledningsförluster. Enheten uppfyller RoHS-kraven och är avsedd för användning där effektiv omkoppling och värmebeständighet behövs.
Funktioner och fördelar:
• 13.4 mΩ RDS(on) minskar ledningsförluster
• 80 V VDS möjliggör omkoppling vid högre spänning
• Kontinuerlig dräneringsström på 10 A stöder långvariga belastningar
• 27 nC typisk grindladdning förbättrar omkopplingskontrollen
• 2,5 W effektförlust hanterar termisk stress
• 80 V VDS möjliggör omkoppling vid högre spänning
• Kontinuerlig dräneringsström på 10 A stöder långvariga belastningar
• 27 nC typisk grindladdning förbättrar omkopplingskontrollen
• 2,5 W effektförlust hanterar termisk stress
Användningsområden
• Lämplig för DC-motordrivningsstegen
• Idealisk för strömhantering i industriella styrsystem
• Används med switchregulatorer och omvandlare
• Kan användas för lastväxling i telekomutrustning
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömmoduler
• Idealisk för strömhantering i industriella styrsystem
• Används med switchregulatorer och omvandlare
• Kan användas för lastväxling i telekomutrustning
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömmoduler
Vilka gränsspänningsgränser gäller under drift?
Enheten accepterar en gate-to-source-spänning på upp till 20 V.
Vilket temperaturområde kan den tolerera i krävande miljöer?
Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C.
Hur påverkar framåtriktad spänning ledningen under kroppsdiodförhållanden?
Forward-dioden uppvisar cirka 1,3 V under ledningshändelser.
Hur många stift och vilken monteringstyp används för kretskortsimplementering?
Den levereras i ett 8-stifts SO‐8-paket konfigurerat för ytmontering.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 10 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Förbättring, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 14 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6.9 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 3.6 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET