Infineon N Kanal, MOSFET, 10 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET

RS-artikelnummer:: 257-9321
Tillv. art.nr:: IRF7854TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 10 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

27 964,00 kr

(exkl. moms)

34 956,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 01 februari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
4000 +	6,991 kr	27 964,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 257-9321
Tillv. art.nr:: IRF7854TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	10A
	Maximal källspänning för dränering Vds	80V
	Kapseltyp	SO-8
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	13.4mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	2.5W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	27nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS Compliant
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A
	Maximal källspänning för dränering Vds 80V
	Kapseltyp SO-8
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 13.4mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 2.5W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 27nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden RoHS Compliant
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IRF7854TRPBF

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 80 V drain-source-spänning, 10 A kontinuerlig drain-ström – IRF7854TRPBF

Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet som levereras i ett ytmonterat SO-8-paket för kompakt strömomkoppling. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är utformad för tillämpningar som kräver måttlig effektförlust och låga ledningsförluster. Enheten uppfyller RoHS-kraven och är avsedd för användning där effektiv omkoppling och värmebeständighet behövs.

Funktioner och fördelar:

• 13.4 mΩ RDS(on) minskar ledningsförluster
• 80 V VDS möjliggör omkoppling vid högre spänning
• Kontinuerlig dräneringsström på 10 A stöder långvariga belastningar
• 27 nC typisk grindladdning förbättrar omkopplingskontrollen
• 2,5 W effektförlust hanterar termisk stress

Användningsområden

• Lämplig för DC-motordrivningsstegen
• Idealisk för strömhantering i industriella styrsystem
• Används med switchregulatorer och omvandlare
• Kan användas för lastväxling i telekomutrustning
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömmoduler

Vilka gränsspänningsgränser gäller under drift?

Enheten accepterar en gate-to-source-spänning på upp till 20 V.

Vilket temperaturområde kan den tolerera i krävande miljöer?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C.

Hur påverkar framåtriktad spänning ledningen under kroppsdiodförhållanden?

Forward-dioden uppvisar cirka 1,3 V under ledningshändelser.

Hur många stift och vilken monteringstyp används för kretskortsimplementering?

Den levereras i ett 8-stifts SO‐8-paket konfigurerat för ytmontering.