Infineon N Kanal, MOSFET, -9 A 20 V, 8 Ben, SO-8, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
257-9302
Tillv. art.nr:
IRF7324TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-9A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SO-8

Serie

HEXFET

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

18mΩ

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

2W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

42nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.75mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

5mm

Bredd

4mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons IRF-serie är -20 V dubbel p-kanal HEXFET-effektmosfet i en SO 8-kapsel.

Plan cellstruktur för bred SOA

Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners

Produktkvalificering enligt JEDEC-standard

Kisel optimerat för applikationer som växlar under 100 kHz

Ytmonterat kraftpaket enligt industristandard

Kan våglödas

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.