Vishay N Kanal, MOSFET, 6 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, SI5936DU
- RS-artikelnummer:
- 256-7377
- Tillv. art.nr:
- SI5936DU-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
67,98 kr
(exkl. moms)
84,98 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 040 enhet(er) från den 29 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 13,596 kr | 67,98 kr |
| 50 - 95 | 12,186 kr | 60,93 kr |
| 100 - 245 | 9,52 kr | 47,60 kr |
| 250 - 995 | 9,274 kr | 46,37 kr |
| 1000 + | 6,182 kr | 30,91 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 256-7377
- Tillv. art.nr:
- SI5936DU-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | SI5936DU | |
| Kapseltyp | PowerPAK ChipFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.04Ω | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 10.4W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Höjd | 0.85mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie SI5936DU | ||
Kapseltyp PowerPAK ChipFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.04Ω | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 10.4W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Höjd 0.85mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay SI5936DU-serien MOSFET, 30 V maximal drain-källspänning, 6 A maximal kontinuerlig drain-ström – SI5936DU-T1-GE3
Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalstransistor som är utformad för omkopplings- och strömhanteringsroller i elektroniska system. Den fungerar som en omkopplare med låg motstånd som är lämplig för kompakta kretskortsmonteringar och erbjuder en balans mellan strömhantering och nominell spänning för en rad industriella styr- och strömomvandlingsuppgifter.
Funktioner och fördelar:
• 30 V-klassning möjliggör omkoppling med mellanspänning för styrkretsar • Kontinuerlig dräneringsström på 6 A stöder måttliga belastningsströmmar • 0,04 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under drift • 3,5 nC typisk grindladdning för snabb, energisnål omkoppling • 10,4 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning • Maximal drifttemperatur på +150 °C tolererar miljöer med höga temperaturer
Användningsområden
• Lämplig för grindstegsväxling i automationssystem • Idealisk för DC-DC-omvandlare i industriella nätaggregat • Används för belastningsväxling i inbyggda styrmoduler • Kan användas för strömhantering i test- och mätutrustning
Vilket monteringsformat kräver den på ett kretskort?
Den använder ett ytmonterat paket med ett 8-stifts fotavtryck som är lämpligt för automatiserad montering och kompakta layouter.
Hur påverkar grindladdningsvärdet drivkraven?
En typisk grindladdning på 3,5 nC innebär lägre grindstyrningsenergi och snabbare övergångar jämfört med enheter med högre Qg, vilket minskar grinddrivarens storlek och omkopplingsförluster.
Vilket omgivningstemperaturområde tål den?
Den är klassad för drift från -55 °C upp till +150 °C, vilket möjliggör användning över breda termiska förhållanden utan nedgradering inom det intervallet.
Vilken maximal grind-till-källspänning kan jag tillämpa?
Enheten accepterar upp till 20 V mellan grind och källa, vilket definierar den tillåtna drivamplituden för säker drift.
Vilken mekanisk förpackningstyp tillhandahålls för värmeavledning?
Den levereras i ett PowerPAK ChipFET-paket som hjälper till med värmeöverföring för högre avledningsnivåer.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 6 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, SI5936DU
- Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 40 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 20 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, SI5442DU
- Vishay N Kanal, MOSFET, 11.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, Si5418DU
- Vishay Typ N, Typ N, Typ P, Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 20 V, PowerPAK ChipFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 9.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, Si5419DU
- Vishay N Kanal, MOSFET, 6 A 30 V, 8 Ben, ChipFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 11.3 A 100 V, PowerPAK