Vishay N Kanal, MOSFET, 6 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, SI5936DU
- RS-artikelnummer:
- 256-7377
- Tillv. art.nr:
- SI5936DU-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
67,98 kr
(exkl. moms)
84,98 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 040 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 13,596 kr | 67,98 kr |
| 50 - 95 | 12,186 kr | 60,93 kr |
| 100 - 245 | 9,52 kr | 47,60 kr |
| 250 - 995 | 9,274 kr | 46,37 kr |
| 1000 + | 6,182 kr | 30,91 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 256-7377
- Tillv. art.nr:
- SI5936DU-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PowerPAK ChipFET | |
| Serie | SI5936DU | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.04Ω | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 10.4W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 850μm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PowerPAK ChipFET | ||
Serie SI5936DU | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.04Ω | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 10.4W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 850μm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay SI5936DU-serien MOSFET, 30 V maximal drain-källspänning, 6 A maximal kontinuerlig drain-ström – SI5936DU-T1-GE3
Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanals switchtransistor som är utformad för strömhanteringsuppgifter i kompakta elektroniska enheter. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och är avsedd för tillämpningar som kräver effektiv lågspänningsomkoppling och värmehantering i trånga fotavtryck.
Funktioner och fördelar:
• 30 V-klassning möjliggör robust omkopplingskapacitet vid låg spänning
• 6 A kontinuerlig ström stöder måttlig strömförsörjning
• 0.04 Ω Rds(on) minimerar ledningsförluster
• 3.5 nC typisk grindladdning möjliggör snabba grindövergångar
• Maximal avledning på 10,4 W klarar betydande värmebelastning
• 20 V grindtolerans möjliggör flexibla val av drivspänning
• 6 A kontinuerlig ström stöder måttlig strömförsörjning
• 0.04 Ω Rds(on) minimerar ledningsförluster
• 3.5 nC typisk grindladdning möjliggör snabba grindövergångar
• Maximal avledning på 10,4 W klarar betydande värmebelastning
• 20 V grindtolerans möjliggör flexibla val av drivspänning
Användningsområden
• Lämplig för användning på utgångssteg i DC/DC-omvandlare
• Idealisk för batterihantering och styrning av strömförsörjningsvägar
• Används med motorstyrsteg för lågspänningsmotorer
• Kan användas för lastväxling i telekomutrustning
• Lämplig för kompakta strömmoduler med höjdbegränsningar
• Idealisk för batterihantering och styrning av strömförsörjningsvägar
• Används med motorstyrsteg för lågspänningsmotorer
• Kan användas för lastväxling i telekomutrustning
• Lämplig för kompakta strömmoduler med höjdbegränsningar
Vilket förpackningsformat bör jag planera för i kretskortslayouten?
Enheten levereras i en ytmonterad PowerPAK ChipFET-stil, så pad-layouter måste matcha ett lågprofils SMT-fotavtryck och tillåta termiska vias eller kopparhöljen för värmeutbredning.
Hur påverkar temperaturen gränserna för kontinuerlig drift?
Komponenten är specifik för att fungera från -55 °C till +150 °C, men värmehantering krävs för att bibehålla effektförlusten inom nominella gränser vid förhöjda hustemperaturer.
Vilka grinddrivaröverväganden finns för omkopplingsprestanda?
Förvänta måttligt behov av grindladdning
Drivkapaciteten bör snabbt leverera den typiska 3,5 nC-laddningen för att minska omkopplingsförlusterna samtidigt som du styr dv/dt.
Är det lämpligt för fordonstillämpningar?
Den är inte avsedd för fordonsstandarder, så den bör inte användas där fordonskvalificering är obligatorisk.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 6 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, SI5936DU
- Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 40 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 20 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, SI5442DU
- Vishay N Kanal, MOSFET, 11.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, Si5418DU
- Vishay Typ N, Typ N, Typ P, Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 20 V, PowerPAK ChipFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 9.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, Si5419DU
- Vishay N Kanal, MOSFET, 6 A 30 V, 8 Ben, ChipFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 11.3 A 100 V, PowerPAK
