Vishay N Kanal, MOSFET, 6 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, SI5936DU

RS-artikelnummer:: 256-7376
Tillv. art.nr:: SI5936DU-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, MOSFET, 6 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, SI5936DU

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

11 985,00 kr

(exkl. moms)

14 982,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 03 februari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	3,995 kr	11 985,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 256-7376
Tillv. art.nr:: SI5936DU-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	6A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Kapseltyp	PowerPAK ChipFET
	Serie	SI5936DU
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.04Ω
	Maximal effektförlust Pd	10.4W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	3.5nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Höjd	0.85mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Kapseltyp PowerPAK ChipFET
	Serie SI5936DU
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.04Ω
	Maximal effektförlust Pd 10.4W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.5nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Höjd 0.85mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - SI5936DU-T1-GE3

Vishay SI5936DU-serien MOSFET, 30 V maximal drain-källspänning, 6 A maximal kontinuerlig drain-ström – SI5936DU-T1-GE3

Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalstransistor som är utformad för omkopplings- och strömhanteringsroller i elektroniska system. Den fungerar som en omkopplare med låg motstånd som är lämplig för kompakta kretskortsmonteringar och erbjuder en balans mellan strömhantering och nominell spänning för en rad industriella styr- och strömomvandlingsuppgifter.

Funktioner och fördelar:

• 30 V-klassning möjliggör omkoppling med mellanspänning för styrkretsar • Kontinuerlig dräneringsström på 6 A stöder måttliga belastningsströmmar • 0,04 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under drift • 3,5 nC typisk grindladdning för snabb, energisnål omkoppling • 10,4 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning • Maximal drifttemperatur på +150 °C tolererar miljöer med höga temperaturer

Användningsområden

• Lämplig för grindstegsväxling i automationssystem • Idealisk för DC-DC-omvandlare i industriella nätaggregat • Används för belastningsväxling i inbyggda styrmoduler • Kan användas för strömhantering i test- och mätutrustning

Vilket monteringsformat kräver den på ett kretskort?

Den använder ett ytmonterat paket med ett 8-stifts fotavtryck som är lämpligt för automatiserad montering och kompakta layouter.

Hur påverkar grindladdningsvärdet drivkraven?

En typisk grindladdning på 3,5 nC innebär lägre grindstyrningsenergi och snabbare övergångar jämfört med enheter med högre Qg, vilket minskar grinddrivarens storlek och omkopplingsförluster.

Vilket omgivningstemperaturområde tål den?

Den är klassad för drift från -55 °C upp till +150 °C, vilket möjliggör användning över breda termiska förhållanden utan nedgradering inom det intervallet.

Vilken maximal grind-till-källspänning kan jag tillämpa?

Enheten accepterar upp till 20 V mellan grind och källa, vilket definierar den tillåtna drivamplituden för säker drift.

Vilken mekanisk förpackningstyp tillhandahålls för värmeavledning?

Den levereras i ett PowerPAK ChipFET-paket som hjälper till med värmeöverföring för högre avledningsnivåer.