Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 9.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, Si5419DU
- RS-artikelnummer:
- 818-1312
- Tillv. art.nr:
- SI5419DU-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
63,44 kr
(exkl. moms)
79,30 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 + | 3,172 kr | 63,44 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 818-1312
- Tillv. art.nr:
- SI5419DU-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | Si5419DU | |
| Kapseltyp | PowerPAK ChipFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 33mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 31W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.85V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.98mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 850μm | |
| Längd | 3.08mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie Si5419DU | ||
Kapseltyp PowerPAK ChipFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 33mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximal effektförlust Pd 31W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.85V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.98mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 850μm | ||
Längd 3.08mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanal MOSFET, 30 V till 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 9.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, Si5419DU
- Vishay Typ N, Typ N, Typ P, Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 20 V, PowerPAK ChipFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 11.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, Si5418DU
- Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 40 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 6 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, SI5936DU
- Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 20 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, SI5442DU
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 3.8 A 20 V Förbättring, 8 Ben, ChipFET, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 27 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET