Vishay N Kanal, MOSFET, 11.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, Si5418DU
- RS-artikelnummer:
- 818-1318
- Tillv. art.nr:
- SI5418DU-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (20 enheter, i en förpackning med 20)*
239,24 kr
(exkl. moms)
299,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Leverans från den 22 juni 2027
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 11,962 kr | 239,24 kr |
| 100 - 180 | 11,721 kr | 234,42 kr |
| 200 - 480 | 9,565 kr | 191,30 kr |
| 500 - 980 | 9,33 kr | 186,60 kr |
| 1000 + | 7,527 kr | 150,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 818-1318
- Tillv. art.nr:
- SI5418DU-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PowerPAK ChipFET | |
| Serie | Si5418DU | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 18.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 20nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 31W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.08mm | |
| Höjd | 0.85mm | |
| Bredd | 1.98mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PowerPAK ChipFET | ||
Serie Si5418DU | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 18.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 20nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 31W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.08mm | ||
Höjd 0.85mm | ||
Bredd 1.98mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 30 V till 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 11.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, Si5418DU
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 9.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, Si5419DU
- Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 40 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 6 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, SI5936DU
- Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 20 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, SI5442DU
- Vishay Typ N, Typ N, Typ P, Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 20 V, PowerPAK ChipFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 8 Ben, 1206-8 ChipFET, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 3.8 A 20 V Förbättring, 8 Ben, ChipFET, TrenchFET
