Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 40 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET
- RS-artikelnummer:
- 256-7367
- Tillv. art.nr:
- SI5448DU-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
196,35 kr
(exkl. moms)
245,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 7,854 kr | 196,35 kr |
| 50 - 75 | 7,697 kr | 192,43 kr |
| 100 - 225 | 5,869 kr | 146,73 kr |
| 250 - 975 | 5,757 kr | 143,93 kr |
| 1000 + | 4,44 kr | 111,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 256-7367
- Tillv. art.nr:
- SI5448DU-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerPAK ChipFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4Ω | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 0.85mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerPAK ChipFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4Ω | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 0.85mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay Semiconductor N-kanal MOSFET ytmonterad powerPAK chipfet enkel.
TrenchFET gen IV effektmosfet
100 % Rg och UIS-testad
Termiskt förbättrat powerPAK chipFET-paket
Kompakt fotavtryck yta mindre än 6,09 mm 2
Tunn 0,8 mm profil
56 % lägre RDS(ON) än föregående generation
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 40 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 6 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, SI5936DU
- Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 20 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, SI5442DU
- Vishay N Kanal, MOSFET, 11.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, Si5418DU
- Vishay Typ N, Typ N, Typ P, Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 20 V, PowerPAK ChipFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 9.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, Si5419DU
- Vishay N Kanal, MOSFET, 6 A 30 V, 8 Ben, ChipFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 11.3 A 100 V, PowerPAK