Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 20 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, SI5442DU

RS-artikelnummer:: 256-7365
Tillv. art.nr:: SI5442DU-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 20 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, SI5442DU

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

105,90 kr

(exkl. moms)

132,38 kr

(inkl. moms)

Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
25 +	4,236 kr	105,90 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 256-7365
Tillv. art.nr:: SI5442DU-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	25A
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Kapseltyp	PowerPAK ChipFET
	Serie	SI5442DU
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.0135Ω
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	8V
	Maximal effektförlust Pd	31W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	16.6nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Höjd	850μm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Kapseltyp PowerPAK ChipFET
	Serie SI5442DU
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.0135Ω
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V
	Maximal effektförlust Pd 31W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 16.6nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Höjd 850μm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - SI5442DU-T1-GE3

Vishay SI5442DU-serien MOSFET, 20 V maximal drain-källspänning, 25 A maximal kontinuerlig drain-ström – SI5442DU-T1-GE3

Denna MOSFET är en omkopplingstransistor med N-kanal som är utformad för krafthanteringsroller med hög strömstyrka i kompakta ytmonterade enheter. Den fungerar som en strömförsörjningsenhet med låg spänning som är lämplig för DC-DC-omvandlare och synkrona omkopplingstopologier, och fungerar i ett brett omgivningsområde för krävande termiska miljöer.

Funktioner och fördelar:

• Mycket låg påslagningsresistans på 0.0135 Ω ger minskade ledningsförluster
• Kontinuerlig dräneringskapacitet 25 A som stöder högströmsskenor
• Drain‐source tål 20 V vilket möjliggör lågspänningseffektsteg
• Gränstolerans upp till 8 V möjliggör flexibla drivsystem
• Typisk total grindladdning 16.6 nC för effektiv omkopplingskontroll
• Effektförlust på 31 W möjliggör kontinuerlig termisk belastning

Användningsområden

• Lämplig för synkrona buck-omvandlarutgångar
• Idealisk för strömfördelningsmoduler av fordonskvalitet
• Används för omkoppling av högströmslaster i industriell utrustning
• Kan användas för telekomströmförsörjning
• Lämplig för belastningspunktreglering på kompakta kort

Vilket temperaturområde kan enheten tolerera vid implementering?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till +150 °C och passar både kallstart och driftförhållanden vid höga temperaturer.

Hur påverkar den framåtriktade spänningen effektiviteten i lågspänningssystem?

Den typiska framåtriktade spänningen på 1.2 V över den inneboende dioden minskar döda förluster och bidrar till omvandlarens övergripande effektivitet under synkron drift.

Vilket förpacknings- och monteringssätt finns för kortmontering?

Komponenten levereras i ett 8-stifts PowerPAK ChipFET-format avsett för ytmontering för att möjliggöra kompakt layout och effektiva termiska vägar.

Uppfyller produkten materialbegränsningsdirektiven?

Komponenten uppfyller RoHS-kraven, vilket begränsar vissa farliga ämnen i enhetens sammansättning.