Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 170 mA 100 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 250-0550
- Tillv. art.nr:
- BSS169H6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
4 668,00 kr
(exkl. moms)
5 835,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 28 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 1,556 kr | 4 668,00 kr |
| 6000 - 6000 | 1,478 kr | 4 434,00 kr |
| 9000 + | 1,385 kr | 4 155,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 250-0550
- Tillv. art.nr:
- BSS169H6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 170mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | BSS | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12000mΩ | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 170mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie BSS | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12000mΩ | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon BSS-serien MOSFET, 100 V drain-source-spänning, 0,17 A kontinuerlig drain-ström – BSS169H6327XTSA1
Denna MOSFET är en N-kanalstransistor med utarmningsläge i ett kompakt ytmonterat paket som är utformat för styrning och omkoppling i begränsade monteringar. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och är lämplig för elektriskt krävande miljöer där värmebeständighet och lågspänningsgrindstyrning krävs. Enheten är RoHS-kompatibel och uppfyller fordonskvalificering för användning i fordonselektronik.
Funktioner och fördelar:
• Utmatningskanal möjliggör normal drift för felsäkra kretsar
• Bred temperaturtolerans möjliggör drift från -55 °C till +150 °C
• Låg kontinuerlig ström stöder precisionskontroll av låg ström
• Hög spänningsklassning skyddar mot transienter på upp till 100 V
• SOT‐23-kapsel ger kompakt montering för ytmontering
• Bred temperaturtolerans möjliggör drift från -55 °C till +150 °C
• Låg kontinuerlig ström stöder precisionskontroll av låg ström
• Hög spänningsklassning skyddar mot transienter på upp till 100 V
• SOT‐23-kapsel ger kompakt montering för ytmontering
Användningsområden
• Idealisk för analoga bias- och nivåförskjutningsnätverk
• Lämplig för omkoppling av småsignalbelastning i styrmoduler
• Används med sensorgränssnitt som kräver normalt påslagningsbeteende
• Kan användas för hjälpkretsar inom fordonsindustrin enligt AEC‐Q101
• Lämplig för kompakta strömhanteringsunderkretsar
• Lämplig för omkoppling av småsignalbelastning i styrmoduler
• Används med sensorgränssnitt som kräver normalt påslagningsbeteende
• Kan användas för hjälpkretsar inom fordonsindustrin enligt AEC‐Q101
• Lämplig för kompakta strömhanteringsunderkretsar
Vilken är den maximala gate-to-source-spänningen enheten kan acceptera?
Den tål upp till 20 V mellan grind och källa.
Hur mycket ström kan den dissipera under drift?
Enheten har en maximal effektförlust på 81 W.
Vilken grindladdning bör designers budgetera för vid Vgs?
Typisk total grindladdning är 80 nC mätt vid den specificerade grinddrivningen.
Vilka egenskaper för påslagningsresistans är relevanta för termisk planering?
Det maximala drain-source-motståndet är 12 000 mΩ under specificerade förhållanden.
Är denna enhet förpackad för automatiserad kretskortsmontering?
Ja, den levereras i en SOT‐23-förpackning för ytmontering.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 170 mA 100 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 mA 250 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 540 mA 55 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.50 A -30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.30 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 230 mA 60 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101