Infineon N Kanal, MOSFET, 100 mA 250 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

5 685,00 kr

(exkl. moms)

7 107,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 6 000 enhet(er) levereras från den 18 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30001,895 kr5 685,00 kr
6000 - 60001,80 kr5 400,00 kr
9000 +1,686 kr5 058,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
250-0543
Tillv. art.nr:
BSS139H6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100mA

Maximal källspänning för dränering Vds

250V

Serie

BSS

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

30000mΩ

Kanalläge

Avskrivningar

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

81W

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon BSS-serien MOSFET, 250 V maximal drain-source-spänning, 0,1 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSS139H6327XTSA1


Denna MOSFET är en N-kanal-transistor med utarmningsläge som är utformad för ytmonteringstillämpningar där kontrollerad lågströmsomkoppling vid hög spänning krävs. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och passar kompakta SOT-23-fotavtryck i system som kräver fordonskvalificering och RoHS-kompatibla komponenter.

Funktioner och fördelar:


• 250 V maximal drain-källspänning möjliggör högspänningsswitchning
• 30 000 mΩ maximalt drain-källmotstånd minskar spänningsfall i påläge
• Maximal effektförlust på 81 W stöder kortvariga termiska belastningar
• 80 nC typisk grindladdning ger förutsägbara krav på grinddrivning
• Maximal gate-källspänning på ±20 V möjliggör robust gate-drivutrymme

Användningsområden


• Lämplig för analoga biaskretsar med hög spänning
• Idealisk för styrning av lågström i sensorgränssnitt
• Används i fordonselektronik som kräver AEC‐Q101-kompatibilitet
• Kan användas för Compact SOT-23 ytmonterade konstruktioner
• Lämplig för temperaturstabila system över breda områden

I vilket temperaturområde kan den fungera?


Den fungerar från -55 °C upp till +150 °C.

Hur många terminaler har förpackningen?


Enheten levereras i ett SOT-23-paket med tre stift.

Vilket är det typiska kanalledningsläget och typen?


Den använder en utarmningskanal i en N‐typkonfiguration.

Vilka standarder eller godkännanden uppfyller den?


Den är RoHS-kompatibel och uppfyller AEC-Q101-kriterier för fordonsindustrin.

Vad är den typiska grindladdningen vid nominell grinddrivning?


Grindladdningen är vanligtvis 80 nC vid de angivna grindförhållandena.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.