Infineon N Kanal, MOSFET, 100 mA 250 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 250-0543
- Tillv. art.nr:
- BSS139H6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 250-0543
- Tillv. art.nr:
- BSS139H6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 250V | |
| Serie | BSS | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 30000mΩ | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 250V | ||
Serie BSS | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 30000mΩ | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon tillverkar SIPMOS Small-Signal-Transistor är en N-kanalig MOSFET-transistor med utarmningsläge för små signaler som ofta används i högswitchande applikationer. Den är lavinklassad och halogenfri. Den är dv /dt-klassad. Den finns tillgänglig med VGS(th)-indikator på spolen. Den är halogenfri och har Pb-fri blyplätering.
Pb-fri blyplätering
Maximal effektförlust är 360 mW
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 0.1 A 250 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 0.9 A 100 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 0.3 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 0.54 A 55 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 0.15 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 0.23 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 230 mA 60 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
