Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 230 mA 60 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 753-2841
- Distrelec artikelnummer:
- 304-45-304
- Tillv. art.nr:
- BSS159NH6327XTSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
104,375 kr
(exkl. moms)
130,475 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 4,175 kr | 104,38 kr |
| 125 - 475 | 2,146 kr | 53,65 kr |
| 500 - 1225 | 2,101 kr | 52,53 kr |
| 1250 + | 2,047 kr | 51,18 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 753-2841
- Distrelec artikelnummer:
- 304-45-304
- Tillv. art.nr:
- BSS159NH6327XTSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 230mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8Ω | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 360mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 2.9mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 230mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8Ω | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 360mW | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 2.9mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® N-kanaliga MOSFET:ar
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 230 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS®
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 660 mA 200 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 230 mA 60 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, BSS138I
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 mA 240 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101