Infineon N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

235,425 kr

(exkl. moms)

294,275 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 400 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 +9,417 kr235,43 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
753-2838
Distrelec artikelnummer:
304-45-303
Tillv. art.nr:
BSS126H6327XTSA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

21mA

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

SIPMOS

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

700Ω

Kanalläge

Avskrivningar

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

500mW

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.4nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1mm

Bredd

1.3mm

Längd

2.9mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® N-kanaliga MOSFET:ar


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.