Infineon N Kanal, MOSFET, 540 mA 55 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
250-0559
Tillv. art.nr:
BSS670S2LH6433XTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

540mA

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Serie

BSS

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal effektförlust Pd

81W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon tillverkar denna OptiMOS Buck-omvandlare i N-kanalsförbättringsläge. Den är avalancheklassad och halogenfri.

VDS är 55 V, Rds(on) är 650 mΩ och Id är 0,54 A

Halogenfri

Maximal effektförlust är 360mW

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.