Infineon N Kanal, MOSFET, 3.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, BSR AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

55,55 kr

(exkl. moms)

69,45 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 020 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4511,11 kr55,55 kr
50 - 1209,52 kr47,60 kr
125 - 2458,982 kr44,91 kr
250 - 4958,332 kr41,66 kr
500 +7,75 kr38,75 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
250-0540
Distrelec artikelnummer:
304-40-497
Tillv. art.nr:
BSR802NL6327HTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-223

Serie

BSR

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

32mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

81W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon BSR-serien MOSFET, 20 V maximal drain-source-spänning, 3,7 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSR802NL6327HTSA1


Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för ytmonterad strömomkoppling och styrning i krävande termiska miljöer. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och levereras i ett kompakt SOT‐223-paket för kretskortsmonterade tillämpningar. Enheten stöder gate-driven omkoppling vid standardgatespänningar och uppfyller blyfria miljökrav.

Funktioner och fördelar:


• Låg påslagningsresistans ger minimala ledningsförluster och högre effektivitet
• Hög effektförlust möjliggör hållbar effekthantering under drift
• Bred gate-tolerans möjliggör robust styrning upp till specificerade gate-gränser
• Hög temperaturklassning stöder drift under förhöjda termiska förhållanden
• Godkänd för fordonsindustrin säkerställer lämplighet för fordonsklassad elektronik

Användningsområden


• Lämplig för elektroniska styrmoduler för fordon
• Idealisk för generell strömomkoppling på SMD-enheter
• Används för DC-strömfördelning och belastningsswitchning
• Kan användas för värmestressade effektsteg

Vilket grindspänningsområde kan den tolerera?


Den är specificerad för grindspänningar upp till 20 V, vilket möjliggör kompatibilitet med standarddrivkretsar på logiknivå.

Vilka termiska extremer tål den under drift?


Enheten är klassad för drift från -55 °C upp till +150 °C, vilket passar ett brett temperaturområde.

Vad är den maximala konstanta strömmen den kan bära?


Den stöder en kontinuerlig dräneringsström på 3,7 A för långvariga belastningsförhållanden.

Hur påverkar förpackningen montering och termisk prestanda?


SOT‐223-kapseln är ett ytmonterat format som balanserar ett kompakt fotavtryck med värmeavledning för krafttillämpningar.

Vilken miljöstandard uppfyller den för begränsade ämnen?


Den uppfyller RoHS-kraven för kontroll av farliga ämnen.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.