Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 3.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 243-9277
- Tillv. art.nr:
- ISP650P06NMXTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
38,98 kr
(exkl. moms)
48,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 218 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 19,49 kr | 38,98 kr |
| 20 - 48 | 16,465 kr | 32,93 kr |
| 50 - 98 | 15,455 kr | 30,91 kr |
| 100 - 198 | 14,45 kr | 28,90 kr |
| 200 + | 13,215 kr | 26,43 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 243-9277
- Tillv. art.nr:
- ISP650P06NMXTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | ISP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie ISP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons P-kanalstransistor för små signaler har blyfri plätering. Drain-strömmen och drain-source-spänningen för MOSFET är -3,7 A respektive -60 V. Den har mycket lågt resistansvärde. Drifttemperaturen är från -55 °C till 150 °C.
Ytmonteringsteknik
Tillgänglighet på logisk nivå
Enkelt gränssnitt till mikrokontrollenhet (MCU)
Snabbväxlande
avalanche-tålighet
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 3.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -2.8 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 2.8 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.29 A 150 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 3.9 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.55 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP