Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -3.70 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 243-9277
- Tillv. art.nr:
- ISP650P06NMXTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
38,98 kr
(exkl. moms)
48,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 158 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 19,49 kr | 38,98 kr |
| 20 - 48 | 16,465 kr | 32,93 kr |
| 50 - 98 | 15,455 kr | 30,91 kr |
| 100 - 198 | 14,45 kr | 28,90 kr |
| 200 + | 13,215 kr | 26,43 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 243-9277
- Tillv. art.nr:
- ISP650P06NMXTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -3.70A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | ISP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -3.70A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie ISP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon ISP-serien MOSFET, 60 V maximal drain-source-spänning, 81 W maximal effektförlust – ISP650P06NMXTSA1
Denna MOSFET är en P-kanalförstärkningsenhet som är utformad för ytmonterad strömomkoppling i krävande temperaturmiljöer. Den fungerar över ett brett termiskt område och levereras i en kompakt SOT‐223-kapsel som är lämplig för monteringar som kräver ett genomgående krafthanteringsfotavtryck samtidigt som kortets yta sparas.
Funktioner och fördelar:
• 65 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster för effektiv kraftöverföring
• -3,70 A kontinuerlig dräneringsström med stöd för drift med stabil belastning
• 80 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerad omkopplingsdynamik
• 60 V drain‐source-klassning möjliggör tillämpningar med högre omkopplingsspänning
• 81 W effektförlust hanterar värmeenergi i kompakta förpackningar
• -3,70 A kontinuerlig dräneringsström med stöd för drift med stabil belastning
• 80 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerad omkopplingsdynamik
• 60 V drain‐source-klassning möjliggör tillämpningar med högre omkopplingsspänning
• 81 W effektförlust hanterar värmeenergi i kompakta förpackningar
Användningsområden
• Lämplig för fordonsstyrmoduler som kräver temperaturresistens
• Idealisk för strömskenor i industriell styrningselektronik
• Används för lastväxling i batterihanteringssystem
• Kan användas för omvänd polaritet och hög-side-omkopplingskretsar
• Idealisk för strömskenor i industriell styrningselektronik
• Används för lastväxling i batterihanteringssystem
• Kan användas för omvänd polaritet och hög-side-omkopplingskretsar
Vilka omgivningstemperaturer kan den användas vid?
Den fungerar i ett brett intervall från -55 °C till +150 °C, vilket möjliggör användning i tuffa termiska förhållanden.
Vilket paket och monteringsmetod använder den?
Den levereras i en SOT‐223-kapsel utformad för ytmontering på kretskort.
Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas?
Den maximala grind-till-källspänningen är 20 V och bör inte överskridas för att förhindra skador.
Är den lämplig för tillämpningar av fordonskvalitet?
Den överensstämmer med AEC-Q101, vilket stöder kvalificering för elektroniska implementeringar inom fordonsindustrin.
Uppfyller den begränsningar för miljöämnen?
Den är RoHS-kompatibel och uppfyller restriktioner för vissa farliga material.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -3.70 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 2.8 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -2.8 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 990 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.55 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.29 A 150 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP