Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 911-0926
- Tillv. art.nr:
- BSP170PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1000 enheter, på en rulle med 1000)*
4 090,00 kr
(exkl. moms)
5 110,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 12 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 4,09 kr | 4 090,00 kr |
| 2000 - 2000 | 3,886 kr | 3 886,00 kr |
| 3000 + | 3,64 kr | 3 640,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 911-0926
- Tillv. art.nr:
- BSP170PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 300mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.8W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.5mm | |
| Längd | 6.5mm | |
| Höjd | 1.6mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 300mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.8W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.5mm | ||
Längd 6.5mm | ||
Höjd 1.6mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon SIPMOS® MOSFETar med P-kanal
Anoden Infineon SIPMOS® small Signals P-kanal-MOSFET:er har flera egenskaper som kan inkludera enhancement mode, kontinuerlig dräneringsström så låg som -80A samt ett brett driftstemperaturområde. SIPMOS Power-transistorn kan användas i en mängd olika applikationer, t.ex. telekom, eMobility, bärbara datorer, DC/DC-enheter samt inom fordonsindustrin.
- Kvalificerad enligt AEC Q101 (se datablad)
- Pb-fri blyplätering, RoHS-kompatibel
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.17 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 2.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 430 mA 250 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 260 mA 250 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.8 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101