DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3.7 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, ZXMP10A18G AEC-Q104, AEC-Q200, AEC-Q101,
- RS-artikelnummer:
- 922-8020
- Tillv. art.nr:
- ZXMP10A18GTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
8 236,00 kr
(exkl. moms)
10 295,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 21 000 enhet(er) från den 01 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 8,236 kr | 8 236,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 922-8020
- Tillv. art.nr:
- ZXMP10A18GTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | ZXMP10A18G | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 190mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 26.9nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.95V | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.9W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.7mm | |
| Längd | 6.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.7mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q104, AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie ZXMP10A18G | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 190mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 26.9nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.95V | ||
Maximal effektförlust Pd 3.9W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.7mm | ||
Längd 6.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.7mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q104, AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
P-kanal MOSFET, 100 V till 450 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3.7 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, ZXMP10A18G AEC-Q104, AEC-Q200, AEC-Q101,
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, ZXMP6A17G AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q104,
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 450 mA 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 75 mA 450 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3.7 A 70 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 2.1 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q104
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 230 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, E-Line AEC-Q101, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q200
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 3.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101