Infineon N Kanal, MOSFET, 1.2 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 124-8756
Tillv. art.nr:: BSP296NH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 1.2 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q101

Denna bild representerar endast produktgruppen

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

3 261,00 kr

(exkl. moms)

4 076,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

1 000 enhet(er) levereras från den 24 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
1000 +	3,261 kr	3 261,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 124-8756
Tillv. art.nr:: BSP296NH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	1.2A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Serie	OptiMOS
	Kapseltyp	SOT-223
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	4
	Maximal drain-källresistans Rds	800mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	4.5nC
	Framåtriktad spänning Vf	0.85V
	Maximal effektförlust Pd	1.8W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.6mm
	Bredd	3.5mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	6.5mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.2A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Serie OptiMOS
	Kapseltyp SOT-223
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 4
	Maximal drain-källresistans Rds 800mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.5nC
	Framåtriktad spänning Vf 0.85V
	Maximal effektförlust Pd 1.8W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.6mm
	Bredd 3.5mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 6.5mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

COO (ursprungsland):: CN

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 100 V maximal drain-källspänning, 1,2 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSP296NH6327XTSA1

Denna MOSFET är en ytmonterad effekttransistor som är utformad för omkoppling och styrning i fordons- och industriella sammanhang. Den fungerar som en N-kanalförstärkningsenhet som är lämplig för tillämpningar som kräver måttlig strömhantering och högspänningskapacitet, samtidigt som den klarar ett brett omgivningstemperaturområde för krävande miljöer.

Funktioner och fördelar:

• 100 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsswitchning
• Kontinuerlig dräneringsström på 1,2 A stöder blygsamma belastningsströmmar
• 800 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning
• 4,5 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare växlingsövergångar
• Maximal effektförlust på 1.8 W hanterar termisk belastning i kompakta enheter
• ±20 V gate-tolerans stöder vanliga gate-drivspänningar

Användningsområden

• Lämpligt för fordonsstyrmoduler som kräver AEC‐Q101-kvalificering
• Idealisk för DC/DC-omvandlarsteg i kompakta nätaggregat
• Används med motordrivare med låg effekt i tillbehörssystem
• Kan användas för batterihantering och strömfördelningsuppgifter
• Användbar för omkopplingsläge för bärbar och inbyggd utrustning

Vilken typ av kapsling ska jag förvänta mig för PCB-layout?

Den levereras i ett SOT‐223-paket för ytmontering med fyra stift, vilket möjliggör enkelsidig värmeledning och enkel integrering av genomgående kretskortsfotavtryck.

Hur uppför sig den termiska prestandan vid förhöjda temperaturer?

Enheten är klassad för drift i ett brett intervall från -55 °C till 150 °C, med effektförlust som är begränsad till 1,8 W för att förhindra termisk överbelastning vid kontinuerlig drift.

Vilka begränsningar för grinddrivning måste iakttas under designen?

Den maximala tillåtna grind-källspänningen är 20 V, så grinddrivare bör konfigureras för att undvika att överskrida denna nivå för att skydda grindoxiden.

Vilken parameter påverkar mest omkopplingseffektivitet i snabba PWM-tillämpningar?

Den typiska grindladdningen på 4,5 nC påverkar direkt omkopplingsförluster och drivenergikrav under snabba tillståndsväxlingar.