Infineon N Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Få en mängdrabatt

Lägg till 2000 till för att spara 4%

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

3 981,00 kr

(exkl. moms)

4 976,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
Besparing
1000 - 10003,981 kr3 981,00 kr-
2000 - 20003,782 kr3 782,00 kr4%
3000 +3,543 kr3 543,00 kr11%

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-5811
Tillv. art.nr:
BSP125H6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120mA

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

SIPMOS

Kapseltyp

SOT-223

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

45Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4.4nC

Framåtriktad spänning Vf

800mV

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

1.8W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.5mm

Bredd

3.5mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.5mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

Infineon SIPMOS-serien MOSFET, 600 V maximal drain-källspänning, 120 mA maximal kontinuerlig drain-ström – BSP125H6327XTSA1


Denna MOSFET är en högspännings-N-kanalsomkopplingsenhet som är utformad för ytmonterade strömtillämpningar i krävande miljöer. Den fungerar i ett brett temperaturområde och är avsedd för kretsar som kräver hög dren-till-källa-blockeringskapacitet och kontrollerat omkopplingsbeteende. Kapseln stöder automatiserad kretskortsmontering och är lämplig för elektroniska system inom transport och industri.

Funktioner och fördelar:


• 600 V drain‐source-klassning möjliggör högspänningsväxlingskapacitet
• Maximal Rds på 45 Ω minskar läckage i avstängt läge
• 4,4 nC typisk grindladdning för snabbare grindövergångar
• 120 mA kontinuerlig dräneringsström för lågströmsfaser
• 0,8 V framspänning minimerar ledningsfall i diodvägen
• Maximal dissipation på 1.8 W stöder blygsam effekthantering

Användningsområden


• Lämplig för högspänningshjälpkretsar för fordon
• Idealisk för ingångsstegsväxling i nätaggregat
• Används med industriella sensorgränssnitt som kräver isolering
• Kan användas för små motordrivarskyddselement
• Praktisk för batterihantering och laddningsunderenheter

Vilken monteringsmetod krävs för kortsamling?


Den levereras i en ytmonterad SOT-223-kapsel avsedd för lödda kretskortsfästen och omsmältningsprocesser.

Hur beter den sig i extrema temperaturer?


Enheten är klassad för drift från -55 °C till 150 °C och upprätthåller omkopplingsfunktionen och specificerade gränser under hela det termiska intervallet.

Vilka gränsspänningsgränser bör konstruktörer observera?


Den maximala gate-to-source-spänningen är 20 V, så drivkretsar får inte överskrida denna amplitud för att undvika skador.

Finns det begränsningar för puls i förhållande till kontinuerlig ström?


Den specificerade kontinuerliga dräneringskapaciteten är 120 mA

högre transientströmmar kräver en bedömning av termiskt och säkert driftområde.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.