Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 0.12 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

59,58 kr

(exkl. moms)

74,475 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 910 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4511,916 kr59,58 kr
50 - 12010,236 kr51,18 kr
125 - 2459,542 kr47,71 kr
250 - 4958,78 kr43,90 kr
500 +8,244 kr41,22 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
250-0528
Tillv. art.nr:
BSP125H6433XTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

0.12A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

SOT-223

Serie

BSP

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal effektförlust Pd

81W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons Small Signal n-kanalprodukter är lämpliga för fordonstillämpningar. Denna SIPMOS-effekttransistor är en N-kanal, förbättringsläge med Vds på 600 V, Rds(on) 45 Ω och Id är 0,12 A. Den är dv/dt-klassad.

Blyfri plätering

Maximal effektförlust är 360mW

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.