Infineon N Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Få en mängdrabatt

Lägg till 50 till för att spara 84,00 kr

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

59,58 kr

(exkl. moms)

74,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 3 910 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
Besparing
5 - 4511,916 kr59,58 kr-
50 - 12010,236 kr51,18 kr84,00 kr
125 - 2459,542 kr47,71 kr296,75 kr
250 - 4958,78 kr43,90 kr784,00 kr
500 +8,244 kr41,22 kr1 836,00 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
250-0528
Tillv. art.nr:
BSP125H6433XTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120mA

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

SOT-223

Serie

BSP

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

45000mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

81W

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon BSP-serien MOSFET, 600 V maximal drain-source-spänning, 81 W maximal effektförlust – BSP125H6433XTMA1


Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanal-enhet med förstärkningsläge avsedd för högspänningsomkopplings- och effektförlustuppgifter i kompakta elektroniska enheter. Den fungerar över ett brett temperaturområde som lämpar sig för krävande förhållanden och har ett trepoligt SOT-223-paket för enkel kretskortsplacering. Komponenten är RoHS-kompatibel och uppfyller fordonskvalificeringsstandarder för användning i reglerade fordonsmiljöer.

Funktioner och fördelar:


• 600 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsswitchning
• 81 W effektförlust stöder varaktiga termiska belastningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 0.12 A passar styrvägar med låg ström
• Motståndet på 45,000 mΩ minimerar ledningsförluster
• 80 nC grindladdning vid 20 V förenklar grinddrivningskonstruktionen

Användningsområden


• Lämplig för industriella strömförsörjningssteg
• Idealisk för fordonsstyrkretsar som kräver kvalificering
• Används med kompakta omvandlare som behöver SOT-223-montering
• Kan användas för högtemperatur-elektronikmoduler
• Lämplig för ytmonterade prototyp- och produktionskort

Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas?


Grindkällans spänning får inte överstiga 20 V för att förhindra skador på grindområdet.

Vilket temperaturområde kan förväntas under drift?


Enheten är klassad för kontinuerlig användning från -55 °C upp till +150 °C för att passa breda miljöförhållanden.

Hur många stift och vilken typ av kapsling bör kretskortskonstruktörer tillåta?


Den använder ett trepoligt SOT-223-paket som är lämpligt för ytmonteringsmontering och typiska lödprocesser.

Vilka standarder eller godkännanden gäller för denna komponent?


Den uppfyller RoHS-direktiven och uppfyller AEC-Q101-fordonskvalificeringen.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.