Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 680 mA -100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 250-0536
- Distrelec artikelnummer:
- 304-40-496
- Tillv. art.nr:
- BSP316PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 12%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
62,50 kr
(exkl. moms)
78,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 910 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 12,50 kr | 62,50 kr | - |
| 50 - 120 | 10,976 kr | 54,88 kr | 12% |
| 125 - 245 | 10,26 kr | 51,30 kr | 17% |
| 250 - 495 | 9,52 kr | 47,60 kr | 23% |
| 500 + | 8,87 kr | 44,35 kr | 29% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 250-0536
- Distrelec artikelnummer:
- 304-40-496
- Tillv. art.nr:
- BSP316PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 680mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -100V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | BSP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1800mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 680mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -100V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie BSP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1800mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon BSP-serien MOSFET, 100 V maximal drain-source-spänning, +150 °C maximal drifttemperatur - BSP316PH6327XTSA1
Denna p-kanal MOSFET är en ytmonterad transistor som är utformad för strömomkoppling i miljöer med krävande temperatur. Den fungerar i ett brett termiskt område och är avsedd för tillämpningar som kräver kontrollerad ledning av dräneringskälla med måttlig kontinuerlig strömkapacitet. Komponenten uppfyller fordonsskydd och miljöbegränsningar för användning där efterlevnad av standarder krävs.
Funktioner och fördelar:
• 1800 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster och förenklar termisk design
• Kontinuerlig dräneringsström på 0.68 A med stöd för omkoppling från låg till måttlig belastning
• 80 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare grindövergångar med lägre drivenergi
• 81 W effektförlust möjliggör hållbar energihantering i begränsade kapslingar
• Maximal drifttemperatur på +150 °C möjliggör användning i högtemperaturmoduler
• Kontinuerlig dräneringsström på 0.68 A med stöd för omkoppling från låg till måttlig belastning
• 80 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare grindövergångar med lägre drivenergi
• 81 W effektförlust möjliggör hållbar energihantering i begränsade kapslingar
• Maximal drifttemperatur på +150 °C möjliggör användning i högtemperaturmoduler
Användningsområden
• Lämplig för strömhantering i fordonsdelsystem
• Idealisk för ytmonterade regulator- och lastomkopplarkretsar
• Används med batterihantering och switchmoduler med låg strömstyrka
• Kan användas för värmetolerant styrning av strömvägar på kompakta kort
• Lämplig för konstruktioner som kräver RoHS-kompatibla P-kanalkomponenter
• Idealisk för ytmonterade regulator- och lastomkopplarkretsar
• Används med batterihantering och switchmoduler med låg strömstyrka
• Kan användas för värmetolerant styrning av strömvägar på kompakta kort
• Lämplig för konstruktioner som kräver RoHS-kompatibla P-kanalkomponenter
Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas under drift?
Enheten accepterar upp till 20 V mellan grind och källa och bör inte överskrida detta värde.
Vilken kapsling och monteringsstil använder den för kretskortsintegrering?
Den levereras i en SOT‐223-kapsel avsedd för ytmontering för att underlätta termisk koppling.
Vilket elektrotermiskt beteende gäller för långvarig avledning?
Delarna är klassade för att dissipera upp till 81 W under specificerade förhållanden men kräver lämplig värmehantering av kretskortet.
Är enheten kvalificerad för fordonsmiljöer?
Den uppfyller AEC-Q101-standarderna för skärmning av halvledare av fordonskvalitet.
Vilken standard för miljöbegränsning uppfyller den?
Komponenten är RoHS-kompatibel och uppfyller kraven för blyfria och begränsade ämnen.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 680 mA -100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 mA 40 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 260 mA 250 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 2.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 430 mA 250 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101