Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 0.68 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 250-0536
- Distrelec artikelnummer:
- 304-40-496
- Tillv. art.nr:
- BSP316PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
62,50 kr
(exkl. moms)
78,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 910 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 12,50 kr | 62,50 kr |
| 50 - 120 | 10,976 kr | 54,88 kr |
| 125 - 245 | 10,26 kr | 51,30 kr |
| 250 - 495 | 9,52 kr | 47,60 kr |
| 500 + | 8,87 kr | 44,35 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 250-0536
- Distrelec artikelnummer:
- 304-40-496
- Tillv. art.nr:
- BSP316PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 0.68A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | BSP | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 0.68A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie BSP | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon tillverkar denna SIPMOS, Small-Signal-Transistor P-Channel, Enhancement mode mosfet. Enheten är en dv/dt-klassad P-kanals Enhancement Mode-transistor som ofta används i högswitchande applikationer. Den är lavinklassad och halogenfri.
Vds är 100 V, RDS(on) 1,8 Ω och Id är 0,68 A
Maximal effektförlust är 360 mW
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 0.68 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 0.12 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 0.12 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 0.12 A 40 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.2 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.7 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, BSR AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101